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腐蚀减重对硅片少子寿数的影响(图)
来源:未知 作者:admin 发布时间:2019-04-01 08:35 浏览量:

  腐蚀减重对硅片少子寿数的影响(图)

  晶体硅太阳电池是当今新能源范畴一支继续发展的首要力气。晶体硅太阳电池在出产进程中都要通过外表织构、分散、蚀刻、抗反射层堆积、丝网印刷等根本环节,其间外表织构化进程兼具硅片损害层去除、外表清洁及减反射微结构构成等多项效果,是电池出产中不行短少的一环。

  少子寿数是太阳电池规划及出产进程中的一个重要参数,反映了太阳电池外表和基体对光生载流子的复合程度。为了进步太阳电池的光电变换功率,有必要尽可能进步少子寿数,添加少量载流子的分散长度。理论上,少子寿数越长,太阳电池的短路电流和开路电压越高,太阳电池的变换功率也相应地进步。

  其间,原始硅片外表的机械损害层因为存在高浓度的晶格缺点,是少量载流子(少子)的首要复合中心,是导致丈量寿数和电池功能偏低的首要原因,因而关于硅片少子寿数的丈量一般需求进行外表钝化处理,凯发娱乐以减小外表复合的影响。

  跟着电池出产成本的不断压低,硅片厚度保持继续下降的态势。在外表织构进程中,既要可以到达彻底去除损害层的意图,一起还要削减尽可能防止过量腐蚀而给后续制造形成困难,因而断定硅片的最低腐蚀减重就尤为重要。本文就是选用了测验少子寿数的办法从旁边面评价所需的最低腐蚀减重,可见在工艺进程中运用少子寿数测验的确有必定的含义。

  试验计划

  选用相同的6.5’硅片(硅片面积15481mm2),电阻率1-3Ω·cm,在同一碱织构化溶液中腐蚀,每隔必定的时刻取出一片硅片,丈量每个硅片的腐蚀前后的失重。将硅片在5%HF中浸泡5min,取出后用纯水漂洗。

  根据GB/T 26068-2010《硅片载流子复合寿数的无触摸微波反射光电导衰减测验办法》中8.4.2的办法,将腐蚀之后的硅片当即置入存有碘酒的溶液中进行钝化处理。